VBK2298

制造商: VBSEMI 供应商:

分类: 小信号MOSFET

Datasheet:

描述: P沟道,-20V,-3A,98mΩ@4.5V

物料参数

安装类型:SMT
品牌:VBsemi
功率耗散:400mW
连续漏极电流Id@25℃:1.4A
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
存储温度:-50℃~+150℃
长x宽/尺寸:2.00 x 1.25mm
封装/外壳:SOT323
输入电容Ciss:272pF
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:4.3nC
配置:单路
栅极电荷(Qg)(Max):6.5nC
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
高度:1.10mm
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
5+¥0.6727
50+¥0.5499
150+¥0.4885
500+¥0.3880
3000+¥0.3512
6000+¥0.3328
包装:5 库存:10