AO6800

制造商: VBSEMI 供应商:

分类: MOSFETs

Datasheet:

描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.5A RDS(ON)=22mΩ@4.5V TSOP6

物料参数

安装类型:SMT
品牌:VBsemi
阈值电压Vgs(th):1.5V@250µA
连续漏极电流Id@25℃:3.5A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.05 x 1.65mm
封装/外壳:TSOP6
输入电容Ciss:400pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:1.8nC
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):22mΩ
栅极电荷(Qg)(Max):6nC
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
高度:1.10mm
零件状态:Active
晶体管类型:MOSFET
引脚数:6Pin