物料参数
安装类型: | SMT |
是否无铅: | Yes |
品牌: | VBsemi |
功率耗散: | 1.25W |
原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
连续漏极电流Id@25℃: | 4.5A |
包装: | Tape/reel |
极性: | P-沟道 |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
长x宽/尺寸: | 3.04 x 1.40mm |
封装/外壳: | SOT23 |
反向传输电容Crss: | 155pF |
栅极源极击穿电压: | ±12V |
工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
充电电量: | 10nC |
配置: | 单路 |
原产国家: | China Taiwan |
漏源电压(Vdss): | 20V |
高度: | 1.12mm |
晶体管类型: | P沟道 |