NCEP85T11

制造商: NCE 供应商:

分类: MOSFETs

Datasheet:

描述: N沟道 漏源电压(Vdss):85V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):145W

物料参数

安装类型:DIP
品牌:NCE
阈值电压:4.5V
额定功率:145W
包装:Tube packing
极性:N-沟道
连续漏极电流:110A
长x宽/尺寸:10.25 x 4.60mm
封装/外壳:TO220-3L
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:20V
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):6mΩ
原产国家:China
输入电容:3.87nF
漏源电压(Vdss):85V
栅极电荷(Qg):54nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥3.3400
10+¥3.0200
50+¥2.8600
100+¥2.7000
500+¥2.2500
1000+¥2.2000
包装:1 库存:0