物料参数
安装类型: | SMT |
是否无铅: | Yes |
品牌: | VBsemi |
原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
阈值电压Vgs(th): | 2.5V@250µA |
包装: | Tape/reel |
连续漏极电流Id@25℃: | 7.2A |
极性: | N-沟道 |
漏源击穿电压BVDSS: | 30V |
封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
输入电容Ciss: | 660pF |
工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
配置: | 单路 |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 20mΩ |
原产国家: | China Taiwan |
栅极电荷(Qg)(Max): | 22nC |
最小包装: | 4000pcs |
漏源电压(Vdss): | 30V |
晶体管类型: | MOSFET |
引脚数: | 8Pin |