物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 1.25W |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 4.5A |
| 包装: | Tape/reel |
| 漏源击穿电压BVDSS: | 20V |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT23 |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 反向传输电容Crss: | 155pF |
| 输入电容Ciss: | 835pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 10nC |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 43mΩ |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 6.4nC |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 晶体管类型: | P沟道 |