物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率耗散: | 78W |
| 击穿电压: | 40V |
| 阈值电压: | 2.4V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 100A |
| 封装/外壳: | DFN8_5.55X5.2MM_EP |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 输入电容Ciss: | 3.78nF |
| 反向传输电容Crss: | 60pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | America |
| FET功能: | - |
| 漏源电压(Vdss): | 40V |
| 栅极电荷(Qg): | 70nC@10V |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 20+ | ¥3.7620 |
| 100+ | ¥3.0250 |
| 750+ | ¥2.6950 |
| 1500+ | ¥2.5410 |
| 3000+ | ¥2.4200 |
| 包装：1 | 库存：3011 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.2500 |
| 10+ | ¥3.5300 |
| 30+ | ¥3.1700 |
| 100+ | ¥2.8100 |
| 500+ | ¥2.3200 |
| 1000+ | ¥2.2100 |
| 包装：1 | 库存：3690 |