WST3426

制造商: WINSOK 供应商:

分类: 功率MOSFET

Datasheet:

描述: 封装/外壳:SOT-23N FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:±12V 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.8A

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:1W
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD
阈值电压Vgs(th):850mV@250µA
连续漏极电流Id@25℃:3A
包装:Tape/reel
漏源击穿电压BVDSS:20V
长x宽/尺寸:2.90 x 1.30mm
封装/外壳:SOT23N
栅极源极击穿电压:±12V
反向传输电容Crss:22pF
工作温度:-55℃~+150℃
漏极电流Idss:3A
充电电量:5.4nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):75mΩ
原产国家:China
漏源电压(Vdss):20V
高度:1.15mm
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.1931
50+¥0.1709
150+¥0.1598
500+¥0.1515
3000+¥0.1389
6000+¥0.1356
包装:5 库存:8880