WPM2015-3/TR

制造商: VBSEMI 供应商:

分类: MOSFETs

Datasheet:

描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
阈值电压Vgs(th):1.5V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:4.5A
极性:P-沟道
漏源击穿电压BVDSS:20V
封装/外壳:SOT23
栅极源极击穿电压:±12V
反向传输电容Crss:155pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):43mΩ
原产国家:China Taiwan
栅极电荷(Qg)(Max):10nC
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道