2N7002T

制造商: TAKCHEONG 供应商:

分类: MOSFETs

Datasheet:

描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):150mW

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:Tak Cheong
阈值电压Vgs(th):1,2.5V
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:115mA
极性:N-沟道
漏源击穿电压BVDSS:60V
长x宽/尺寸:1.70 x 0.90mm
封装/外壳:SOT523
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:5pF
漏极电流Idss:600mA
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):60V
高度:0.80mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin