WSD80100DN56

制造商: WINSOK 供应商:

分类: 功率MOSFET

Datasheet:

描述: 封装/外壳:DFN5X6-8 FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:20V 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:100A

物料参数

安装类型:SMT
品牌:Winsok
功率耗散:200W
阈值电压Vgs(th):3V@250µA
连续漏极电流Id@25℃:100A
包装:Original
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:5.75 x 4.90mm
封装/外壳:DFN8_5X6MM
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容Ciss:4.9nF
工作温度:+150℃
充电电量:125nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):6.1mΩ
漏源电压(Vdss):80V
高度:1.10mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:8Pin