物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | VBsemi |
| 功率耗散: | 2W |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 阈值电压Vgs(th): | - |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 6.8A,6.6A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道,P-沟道 |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 输入电容Ciss: | 510pF,620pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | - |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 63nC |
| 最小包装: | 4000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | MOSFET |