NCE60P12K

制造商: NCE 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

Datasheet:

描述: P沟道 耐压:60V 电流:12A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
额定功率:60W
阈值电压Vgs(th):2.2V
连续漏极电流Id@25℃:12A
包装:Tape/reel
存储温度:-55℃~+175℃
封装/外壳:TO252-2
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+175℃
漏极电流Idss:1uA
充电电量:37.6nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):100mΩ
原产国家:China
栅极电荷(Qg)(Max):37.6nC
漏源电压(Vdss):60V
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
5+¥1.4556
50+¥1.1973
150+¥1.0866
500+¥0.9485
2500+¥0.8870
5000+¥0.8500
包装:5 库存:8990