LMBT5551DW1T1G

制造商: LRC 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

Datasheet:

描述: 通用三极管 Dual NPN Ic=50nA Vceo=160V hfe=80 P=300mW SOT363-6

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:LRC
功率耗散:225mW
原始制造商:Leshan Radio Co., Ltd.
额定功率:225mW
Vce饱和压降:200mV
包装:Tape/reel
长x宽/尺寸:2.20 x 1.35mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT363
元件生命周期:Active
工作温度:-55℃~+150℃
集电极电流 Ic:600mA
原产国家:China
DC电流增益(hFE)(Min&Range):80
零件状态:Active
晶体管类型:2个NPN
价格梯度 价格
20+¥0.1811
200+¥0.1448
600+¥0.1247
3000+¥0.1015
9000+¥0.0910
包装:20 库存:16300
价格梯度 价格
1+¥0.0912
包装:1 库存:29920