物料参数
安装类型: | SMT |
品牌: | VBsemi |
功率耗散: | 2W |
原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
阈值电压Vgs(th): | 1.5V@250µA |
包装: | Tape/reel |
连续漏极电流Id@25℃: | 7.1A |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
栅极源极击穿电压: | ±12V |
输入电容Ciss: | - |
工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
充电电量: | 9.5nC |
配置: | 双路 |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 19mΩ |
栅极电荷(Qg)(Max): | 9.5nC |
最小包装: | 4000pcs |
漏源电压(Vdss): | 20V |
晶体管类型: | 2个N沟道(双) |
引脚数: | 8Pin |
库存:4000