物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | VBsemi |
| 功率耗散: | 190mW |
| 阈值电压Vgs(th): | 1V@250µA |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 550mA |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SC75 |
| 反向传输电容Crss: | 10pF |
| 输入电容Ciss: | 45pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 1.65nC |
| 配置: | 单路 |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 2.5nC |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
库存：3000