SI2301S

制造商: BORN 供应商:

分类: MOSFETs

Datasheet:

描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):210mΩ@2.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:No
品牌:BORN
功率耗散:1W
阈值电压:-0.6V
额定功率:1W
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:2.3A
长x宽/尺寸:2.90 x 1.30mm
封装/外壳:SOT23
工作温度:+150℃
充电电量:5.3nC
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):210mΩ
输入电容:177pF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):5.3nC
高度:1.00mm
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
10+¥0.1642
100+¥0.1317
300+¥0.1137
3000+¥0.0961
6000+¥0.0867
9000+¥0.0817
包装:10 库存:38060