RTR040N03TL

制造商: VBSEMI 供应商:

分类: MOSFETs

Datasheet:

描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
功率耗散:1.1W
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
连续漏极电流Id@25℃:5.3A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT23
输入电容Ciss:335pF
反向传输电容Crss:17pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:2.1nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):33mΩ
原产国家:China Taiwan
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
晶体管类型:N沟道