NCE3407AY

制造商: NCE 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

Datasheet:

描述: P沟道 耐压:30V 电流:4.3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.3A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):52mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:1.5W
阈值电压Vgs(th):3V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:4.3A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT23-3L
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:75pF
工作温度:-55℃~+150℃
漏极电流Idss:1uA
充电电量:14nC
配置:单路
原产国家:China
栅极电荷(Qg)(Max):14nC
漏源电压(Vdss):30V
零件状态:在售
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
10+¥0.2587
100+¥0.2297
300+¥0.2153
包装:10 库存:20