物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 品牌: | VBsemi |
| 功率耗散: | 1.3W |
| 阈值电压Vgs(th): | 2V@250µA |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 4.1A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 4.90 x 3.90mm |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 配置: | 单路 |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 24nC |
| 最小包装: | 2500pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 高度: | 1.75mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | MOSFET |
| 引脚数: | 8Pin |