SI2333

制造商: BORN 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

Datasheet:

描述: MOSFET,P-channel 12V/8V 5.1A VGS(th)=0.6V 28mΩ@5.1A&4.5V,SOT-23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
原始制造商:BORN SEMICONDUCTOR
阈值电压Vgs(th):±8V
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:5.1A
长x宽/尺寸:2.90 x 1.30mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT23
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:-0.4V
工作温度:+150℃
漏极电流Idss:-1μA
原产国家:China
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):38mΩ
栅极电荷(Qg)(Max):920pF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):12V
认证信息:Active
高度:0.97mm