WNM2016A-3/TR

制造商: WILLSEMI 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

Datasheet:

描述: WNM2016A-3/TR

物料参数

安装类型:SMT
品牌:Willsemi
功率耗散:1.4W
额定功率:1.4W
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:4.7A
极性:N-沟道
长x宽/尺寸:3.10 x 1.50mm
封装/外壳:SOT23
输入电容Ciss:247pF
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:4.2nC
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):42mΩ
栅极电荷(Qg)(Max):4.2nC
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
高度:1.30mm
晶体管类型:N沟道