NCE65T540F

制造商: NCE 供应商:

分类: MOSFETs

Datasheet:

描述: N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):31.6W

物料参数

安装类型:DIP
击穿电压:650V
功率耗散:31.6W
阈值电压:4V@250µA
包装:Tube packing
连续漏极电流:8A
封装/外壳:TO220F
漏极电流:1uA
输入电容Ciss:590pF
栅极源极击穿电压:±30V
反向传输电容Crss:0.9pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:22nC
配置:单路
原产国家:China
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):540mΩ
最小包装:50pcs
漏源电压(Vdss):650V
栅极电荷(Qg):22nC
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥3.6500
10+¥3.0600
30+¥2.7600
100+¥2.4700
500+¥2.2900
1000+¥2.2000
包装:1 库存:0