物料参数
安装类型: | SMT |
是否无铅: | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
击穿电压: | ±20V |
功率耗散: | 83W |
阈值电压: | 2.2V@250µA |
包装: | Tape/reel |
连续漏极电流: | 46A |
长x宽/尺寸: | 3.30 x 3.30mm |
封装/外壳: | DFN8_3X3MM |
栅极源极击穿电压: | 2.8mΩ |
反向传输电容Crss: | 196pF |
工作温度: | -55℃~+150℃ |
配置: | 单路 |
FET功能: | - |
最小包装: | 3000pcs |
湿气敏感性等级(MSL): | 1(无限) |
漏源电压(Vdss): | 30V |
栅极电荷(Qg): | 65nC@10V |
晶体管类型: | N沟道 |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥1.0501 |
2+ | ¥0.9661 |
4+ | ¥0.8887 |
包装:1 | 库存:100 |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
20+ | ¥3.3110 |
100+ | ¥2.6510 |
750+ | ¥2.3650 |
1500+ | ¥2.2220 |
3000+ | ¥2.1230 |
包装:1 | 库存:3143 |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥3.6400 |
10+ | ¥2.9900 |
30+ | ¥2.6600 |
100+ | ¥2.3400 |
包装:1 | 库存:323 |