BRD5N50

制造商: BLUE ROCKET 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

Datasheet:

描述: N沟道 耐压:500V 电流:5A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA

物料参数

安装类型:SMT
原始制造商:Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd.
阈值电压Vgs(th):4V
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:5A
极性:N-沟道
漏源击穿电压BVDSS:500V
长x宽/尺寸:6.75 x 6.25mm
封装/外壳:TO252
元件生命周期:Active
输入电容Ciss:480pF
栅极源极击穿电压:±30V
反向传输电容Crss:15pF
工作温度:+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):1.14Ω
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):500V
高度:6.25mm
晶体管类型:N沟道