WNM6001-3/TR

制造商: WILLSEMI 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

Datasheet:

描述: N沟道 耐压:60V 电流:500mA 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):500mA 功率(Pd):690mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA

物料参数

安装类型:SMT
品牌:Willsemi
功率耗散:690mW
额定功率:690mW
连续漏极电流Id@25℃:500mA
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
长x宽/尺寸:3.10 x 1.50mm
封装/外壳:SOT23
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容Ciss:23.37pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:1.2nC
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):
栅极电荷(Qg)(Max):1.2nC
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):60V
高度:1.30mm
晶体管类型:N沟道