物料参数
安装类型: | SMT |
品牌: | CBI |
功率耗散: | 200mW |
额定功率: | 200mW |
集射极击穿电压Vce(Max): | 25V |
跃迁频率: | 150MHz |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
封装/外壳: | SOT523 |
工作温度: | +150℃ |
集电极-发射极电压 VCEO: | 25V |
集电极电流 Ic: | 500mA |
原产国家: | China |
DC电流增益(hFE)(Min&Range): | 120 |
Vce饱和压降(Max): | 600mV |
零件状态: | Active |
晶体管类型: | PNP |
安装类型: | SMT |
品牌: | CBI |
功率耗散: | 200mW |
额定功率: | 200mW |
集射极击穿电压Vce(Max): | 25V |
跃迁频率: | 150MHz |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
封装/外壳: | SOT523 |
工作温度: | +150℃ |
集电极-发射极电压 VCEO: | 25V |
集电极电流 Ic: | 500mA |
原产国家: | China |
DC电流增益(hFE)(Min&Range): | 120 |
Vce饱和压降(Max): | 600mV |
零件状态: | Active |
晶体管类型: | PNP |