NCE0224K

制造商: NCE 供应商:

分类: MOSFETs

Datasheet:

描述: N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):24A 功率(Pd):150W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
击穿电压:200V
功率耗散:150W
阈值电压:3.2V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流:24A
封装/外壳:TO252
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:75pF
工作温度:-55℃~+175℃
充电电量:60nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):80mΩ
原产国家:China
漏源电压(Vdss):200V
栅极电荷(Qg):60nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥3.7500
10+¥3.1600
30+¥2.8700
100+¥2.5700
500+¥2.3600
1000+¥2.2700
包装:1 库存:1112