S8550T

制造商: 供应商:

分类: 通用三极管

Datasheet:

描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):0.625W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:CBI
功率耗散:200mW
包装:Tape/reel
集射极击穿电压Vce(Max):25V
极性:PNP
集电极与基极之间电压 VCBO:-40V
长x宽/尺寸:1.70 x 0.90mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT523
元件生命周期:Active
工作温度:+150℃
集电极电流 Ic:500mA
发射极基极导通电压VBE(on):-1.2V
DC电流增益(hFE)(Min&Range):120~400
发射极与基极之间电压 VEBO:-5V
Vce饱和压降(Max):500mV
零件状态:Active
高度:0.80mm
引脚数:3Pin