AP30H80Q

制造商: ALLPOWER 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

Datasheet:

描述: N沟道 耐压:30V 电流:70A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):70A 功率(Pd):46W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:ALLPOWER
原始制造商:Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.
阈值电压Vgs(th):1.5V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:70A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.15 x 3.05mm
封装/外壳:DFN8_3.3X3.3MM
元件生命周期:Active
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
栅极电荷(Qg)(Max):33.7nC
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):30V
高度:0.85mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.7820
50+¥0.7140
150+¥0.6800
包装:5 库存:3065