NCE3020Q

制造商: NCE 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

Datasheet:

描述: N沟道 耐压:30V 电流:20A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):20W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
阈值电压Vgs(th):1.5V@250µA
连续漏极电流Id@25℃:20A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
漏源击穿电压BVDSS:30V
长x宽/尺寸:3.15 x 3.10mm
封装/外壳:DFN8_3.15X3.1MM
输入电容Ciss:1nF
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:164.4pF
工作温度:-55℃~+150℃
漏极电流Idss:1uA
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):12mΩ
原产国家:China
栅极电荷(Qg)(Max):17nC
漏源电压(Vdss):30V
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.9426
50+¥0.7698
150+¥0.6958
500+¥0.5779
2500+¥0.5367
包装:5 库存:4650