LBC856BWT1G

制造商: LRC 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

Datasheet:

描述: 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:150mW 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-65V 集电极连续电流:-100mA

物料参数

安装类型:SMT
品牌:LRC
集电极-基极电压(VCBO):80V
原始制造商:Leshan Radio Co., Ltd.
Vce饱和压降:650mV
包装:Tape/reel
集射极击穿电压Vce(Max):65V
跃迁频率:100MHz
印字代码:3B
封装/外壳:SOT323
元件生命周期:Active
工作温度:-55℃~+150℃
集电极-发射极电压 VCEO:65V
原产国家:China
DC电流增益(hFE)(Min&Range):220~475
认证信息:RoHS
零件状态:Active
高度:0.90mm
晶体管类型:PNP
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥0.1536
100+¥0.1164
1000+¥0.0882
1500+¥0.0723
3000+¥0.0640
包装:1 库存:20
价格梯度 价格
20+¥0.1062
200+¥0.0857
600+¥0.0743
3000+¥0.0629
包装:20 库存:6660
价格梯度 价格
1+¥0.0637
100+¥0.0608
包装:1 库存:2990