AP2301B

制造商: ALLPOWER 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

Datasheet:

描述: P沟道 耐压:20V 电流:2A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):950mV@250uA

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ALLPOWER
功率耗散:750mW
额定功率:750mW
原始制造商:Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd.
阈值电压Vgs(th):950mV@250µA
连续漏极电流Id@25℃:2A
包装:Tape/reel
漏源击穿电压BVDSS:20V
封装/外壳:SOT23
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:27pF
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃
漏极电流Idss:-2A
原产国家:China
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):165mΩ
漏源电压(Vdss):20V
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
50+¥0.0951
500+¥0.0859
3000+¥0.0616
6000+¥0.0585
24000+¥0.0558
60000+¥0.0544
包装:50 库存:251000