BRD4N65

制造商: BLUE ROCKET 供应商:

分类: MOSFETs

Datasheet:

描述: N沟道 耐压:650V 电流:4A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):75W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.7Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA

物料参数

安装类型:SMT
品牌:BLUE ROCKET
功率耗散:75W
原始制造商:Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd.
阈值电压Vgs(th):4V
连续漏极电流Id@25℃:4A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
长x宽/尺寸:6.75 x 6.25mm
封装/外壳:TO252
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:2.2pF
输入电容Ciss:560pF
栅极源极击穿电压:±30V
工作温度:+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):2.7Ω
原产国家:China
漏源电压(Vdss):650V
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.9187
50+¥0.7297
150+¥0.6487
500+¥0.5477
包装:5 库存:1955