AP2302B

制造商: ALLPOWER 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

Datasheet:

描述: N沟道 耐压:20V 电流:2.8A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.8A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@50uA

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:350mW
阈值电压Vgs(th):0.7V@250uA
连续漏极电流Id@25℃:2.8A
包装:Tape/reel
漏源击穿电压BVDSS:20V
封装/外壳:SOT23
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±10V
输入电容Ciss:300pF
反向传输电容Crss:80pF
漏极电流Idss:2.8A
工作温度:+150℃(TJ)
充电电量:4nC
原产国家:China
栅极电荷(Qg)(Max):10nC
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
认证信息:RoHS
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
50+¥0.0956
500+¥0.0771
3000+¥0.0666
6000+¥0.0605
24000+¥0.0552
60000+¥0.0523
包装:50 库存:327000