AP6007S

制造商: ALLPOWER 供应商:

分类: MOSFETs

Datasheet:

描述: N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):3.2W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ALLPOWER
击穿电压:60V
功率耗散:3.2W
阈值电压:1.6V
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:12A
长x宽/尺寸:5.10 x 4.00mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SO8
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容Ciss:4.605nF
工作温度:+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):9.5mΩ
原产国家:China
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):77nC
高度:1.75mm
价格梯度 价格
5+¥1.3640
50+¥1.0045
150+¥0.8505
500+¥0.6583
包装:5 库存:5560