物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | CBI |
| 功率耗散: | 200mW |
| 额定功率: | 200mW |
| 包装: | Tape/reel |
| 集射极击穿电压Vce(Max): | 45V |
| 跃迁频率: | 100MHz |
| 集电极与基极之间电压 VCBO: | 50V |
| 长x宽/尺寸: | 2.20 x 1.35mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT323 |
| 工作温度: | +150℃ |
| 集电极电流 Ic: | 100mA |
| 集电极-发射极电压 VCEO: | 45V |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| DC电流增益(hFE)(Min&Range): | 200 |
| 发射极与基极之间电压 VEBO: | 6V |
| Vce饱和压降(Max): | 600mV |
| 晶体管类型: | NPN |