BRD15N10

制造商: BLUE ROCKET 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

Datasheet:

描述: N沟道 耐压:100V 电流:15A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):39W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,8.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA

物料参数

安装类型:SMT
原始制造商:Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd.
阈值电压Vgs(th):2.2V
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:15A
极性:N-沟道
漏源击穿电压BVDSS:100V
长x宽/尺寸:7.50 x 6.75mm
封装/外壳:TO252-3
元件生命周期:Active
输入电容Ciss:1.12nF
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:35pF
工作温度:+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):80mΩ
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):100V
高度:2.40mm
晶体管类型:N沟道