物料参数
| 阈值电压Vgs(th): | 630mV@250µA |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 3.5A |
| 功率耗散（最大值）: | 750mW |
| 封装/外壳: | SOT23-3 |
| 功率(Max): | 750mW |
| 工作温度(Tj): | -55~+150℃ |
| 导通电阻Rds On(Max): | 61mΩ |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| FET类型: | P-Channel |
| 安装类型: | SMT |
| 包装: | Tape/reel |
| 配置: | Single |
| 反向传输电容Crss: | 120pF |
| 原产国家: | China |
| 认证信息: | HF(halogen free) |
| 充电电量: | 8nC |
| 应用: | Consumer |
| 栅极电荷: | 8nC |
| 存储温度: | -55~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 2.92 x 1.60mm |