物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | IR |
| 功率耗散: | 2W |
| 额定功率: | 2W |
| 阈值电压Vgs(th): | 1V |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 5.8A |
| 极性: | N-沟道,P-沟道 |
| 长x宽/尺寸: | 5.00 x 4.00mm |
| 封装/外壳: | SO8 |
| 输入电容Ciss: | 650pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 漏极电流Idss: | 6.5A |
| FET功能: | N和P沟道 |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 33nC@10V |
| 最小包装: | 1pcs |
| 湿气敏感性等级（MSL）: | 1（无限） |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 高度: | 1.75mm |
| 晶体管类型: | N沟道和P沟道互补型 |