IRF6216PBF

制造商: 供应商:

分类: MOSFETs

Datasheet:

描述: SO-8封装中的150V单P沟道HEXFET功率MOSFET

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:IR HiRel
功率耗散:2.5W
原始制造商:Infineon Technologies AG
连续漏极电流Id@25℃:2.2A
包装:Tape/reel
漏源导通电阻 RDS(on):0.24mΩ
存储温度:-55~+150℃
封装/外壳:SO8
元件生命周期:Active
输入电容Ciss:1280pF
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ciss)(Max):1280pF
原产国家:Germany
功率耗散(最大值):2.5W
漏源电压(Vdss):150V
导通电阻Rds On(Max):0.24mΩ
工作温度(Tj):-55~+150℃
零件状态:Active