物料参数
| 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：: | 650 |
| 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：: | 250 |
| 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：: | 280 |
| 最大漏极电流Id(on)(A)：: | 15 |
| 驱动电压(V)：: | 10 |
| 通道极性：: | N沟道 |
| 封装/温度(℃)：: | TO-220F-3/-55~125 |
| 描述：: | 650V,280mΩ,15A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET |
| 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：: | 650 |
| 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：: | 250 |
| 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：: | 280 |
| 最大漏极电流Id(on)(A)：: | 15 |
| 驱动电压(V)：: | 10 |
| 通道极性：: | N沟道 |
| 封装/温度(℃)：: | TO-220F-3/-55~125 |
| 描述：: | 650V,280mΩ,15A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET |