MMBT5551

制造商: MDD 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

Datasheet:

描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V (100-200) NPN

物料参数

安装类型:SMT
品牌:MDD
功率耗散:300mW
额定功率:300mW
集射极击穿电压Vce(Max):160V
跃迁频率:100MHz
封装/外壳:SOT23
工作温度:+150℃
集电极-发射极电压 VCEO:160V
集电极电流 Ic:600mA
DC电流增益(hFE)(Min&Range):100
Vce饱和压降(Max):200mV
晶体管类型:NPN
价格梯度 价格
1+¥0.0855
包装:1 库存:402
价格梯度 价格
1+¥0.0872
包装:1 库存:402