G20N06J

制造商: GOFORD 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：27mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250μA