SLD65R420S2

制造商: MAPLESEMI 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：87W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：330mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：23nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：632pF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：2.3pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)