HYG180N10LS1P

制造商: HUAYI 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：93.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16.5mΩ@10V,25A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：11.6nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.606nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：22.8pF@25V 工作温度：+175℃@(Tj)