SLF60R380S2

制造商: MAPLESEMI 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：22nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：634pF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：2.6pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)