ASDM30N65E-R

制造商: ASCEND 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：32A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：9nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.113nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：55pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)