ASDM20P09ZB-R

制造商: ASCEND 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：1.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.2nF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：90pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)