MESS84-G

制造商: MATSUKI 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):130mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA 输入电容(Ciss@Vds):30pF@5V 反向传输电容(Crss@Vds):5pF@5V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)